Produkte

Neue ursprüngliche integrierte Schaltungen IGOT60R070D1AUMA1

Kurze Beschreibung:

Boyad-Teilenummer

IGOT60R070D1AUMA1TR-ND – Tape and Reel (TR)

IGOT60R070D1AUMA1CT-ND – Scherband (CT)

IGOT60R070D1AUMA1DKR-ND – Digi-Reel® Kundenspezifisches Band und Rolle
Hersteller

Infineon-Technologien
Produktnummer des Herstellers

IGOT60R070D1AUMA1
beschreiben

GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
detaillierte Beschreibung

Oberflächenmontierter N-Kanal 600 V 31 A (Tc) 125 W (Tc) PG-DSO-20-87
Interne Teilenummer des Kunden
Spezifikationen

Spezifikationen


Produktdetail

Produkt Tags

Produkteigenschaften

TYP

BESCHREIBEN
Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte

Transistor – FET, MOSFET – Einfach

 

Hersteller

Infineon-Technologien
Serie

CoolGaN™
Paket

Tape-and-Reel (TR)

Scherband (CT)

Digi-Reel® Kundenspezifische Rolle

 
Produktstatus

abgesetzt
FET-Typ

N-Kanal
Technologie

GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
Strom bei 25 °C – Dauerstrom (Id)

31A (TC)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein)

-
Einschaltwiderstand (max.) bei verschiedenen Id, Vgs

-
Vgs(th) (maximal) bei verschiedenen IDs

1,6 V bei 2,6 mA
Vs (max.)

-10V
Eingangskapazität (Ciss) bei verschiedenen Vds (max)

380 pF bei 400 V
FET-Funktion

-
Verlustleistung (max.)

125W (TC)
Betriebstemperatur

-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Installationstyp

Oberflächenmontagetyp
Geräteverpackung des Lieferanten

PG-DSO-20-87
Paket/Gehäuse

20-PowerSOIC (0,433″, 11,00 mm breit)
Grundlegende Produktnummer

IGOT60
Medien und Downloads

RESSOURCENTYP

VERKNÜPFUNG

Spezifikationen

IGOT60R070D1

GaN-Auswahlhilfe

CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Kurzbeschreibung

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HTML-Spezifikationen

CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Kurzbeschreibung

IGOT60R070D1

Umwelt- und Ausfuhrklassifizierung

ATTRIBUTE

BESCHREIBEN

RoHS-Status

Entspricht der ROHS3-Spezifikation

Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)

3 (168 Stunden)

REACH-Status

Nicht-REACH-Produkte

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095


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