Produkteigenschaften
TYP
BESCHREIBEN
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistor – FET, MOSFET – Einfach
Hersteller
Infineon-Technologien
Serie
CoolGaN™
Paket
Tape-and-Reel (TR)
Scherband (CT)
Digi-Reel® Kundenspezifische Rolle
Produktstatus
abgesetzt
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom bei 25 °C – Dauerstrom (Id)
31A (TC)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein)
-
Einschaltwiderstand (max.) bei verschiedenen Id, Vgs
-
Vgs(th) (maximal) bei verschiedenen IDs
1,6 V bei 2,6 mA
Vs (max.)
-10V
Eingangskapazität (Ciss) bei verschiedenen Vds (max)
380 pF bei 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (TC)
Betriebstemperatur
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Installationstyp
Oberflächenmontagetyp
Geräteverpackung des Lieferanten
PG-DSO-20-87
Paket/Gehäuse
20-PowerSOIC (0,433″, 11,00 mm breit)
Grundlegende Produktnummer
IGOT60
Medien und Downloads
RESSOURCENTYP
VERKNÜPFUNG
Spezifikationen
IGOT60R070D1
GaN-Auswahlhilfe
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HTML-Spezifikationen
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IGOT60R070D1
Umwelt- und Ausfuhrklassifizierung
ATTRIBUTE
BESCHREIBEN
RoHS-Status
Entspricht der ROHS3-Spezifikation
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)
3 (168 Stunden)
REACH-Status
Nicht-REACH-Produkte
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095